بررسی تاثیر مقاومت سوئیچ ها بر زمان نشست تقویت کننده سوئیچ-خازنی و طراحی مقایسه گر دینامیک با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه بسیار کم

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی
  • نویسنده معصومه اکبری
  • استاد راهنما محمد میمندی نژاد
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1391
چکیده

پیشرفت سریع در حوزه مدارهای مجتمع در دهه اخیر، چنان رشدی داشته است که در حال حاضر مجتمع سازی سیستم های پیچیده بر روی یک تراشه (soc) را ممکن ساخته است. یکی از ساختارهای مداری مناسب برای طراحی مدارهای مجتمع سیگنال مخلوط مدارهای سوئیچ-خازنی هستند. مدارهای سوئیچ-خازنی به طور گسترده در طراحی فیلترها، تقویت کننده های ابزار دقیق، مبدل ولتاژ به فرکانس، مبدل های داده، آرایه خازنی قابل برنامه ریزی، مدولاتورهای متعادل، آشکارسازهای اوج، و اسیلاتورها به کار برده می شوند. از منظر دیگر با پیشرفت تکنولوژی و رشد سریع سیستم های قابل حمل، توان مصرفی مدارهای مجتمع بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. روش های مختلفی برای کاهش توان مصرفی در مدارهای دیجیتال و آنالوگ مطرح شده است. در این رساله تاثیر مقاومت سوئیچ ها بر زمان نشست یک مدار سوئیچ-خازنی بررسی گردیده است. با توجه به اینکه مقاومت بزرگتر(سایز کوچکتر) سوئیچ، تزریق بار را کاهش می دهد، ساختاری جدید از تقویت کننده سوئیچ-خازنی ارائه شده و اثر مقاومت سوئیچ ها بر عملکرد آن بررسی می گردد. این ساختار یک سوئیچ کمکی در فاز تقویت کنندگی به مدارهای متداول اضافه کرده و تاثیر مقاومت سوئیچ سری با خازن نمونه بردار را تغییر می دهد. نتایج پاسخ پله نرم افزار matlab برای تابع تبدیل مدار پیشنهادی و شبیه سازی آن در تکنولوژی ساخت tsmc 0.18 µm و ولتاژ تغذیه 1.8 ولت به ترتیب بهبود %38.76 و %8.6 در سرعت مدار به سبب افزایش مقدار مقاومت سوئیچ را نشان می دهد. در راستای هدف تحقق سیستم های توان پایین نیز، مقایسه گری دینامیکی در ناحیه زیر آستانه طراحی شده است. جهت دستیابی به عملکرد rail-to-rail، ولتاژ ورودی آن به بدنه ترانزیستورهای ورودی اعمال می شود. از آنجایی که مدارهای زیرآستانه سرعت پایینی دارند، یک روش جدید جهت افزایش سرعت این مقایسه گر نیز ارائه گردیده است. این روش برخلاف بسیاری از نمونه های گزارش شده که جریان به خروجی مقایسه گر تزریق می کنند، از خروجی های مقایسه گر جریان ثابتی می کشد. معادلات آنالیزی و شبیه سازی ها نشان می دهند که این روش به طراحی مقایسه گری با سرعت بیشتر در ناحیه زیرآستانه می انجامد. مقایسه گر در تکنولوژی0.18-µm cmos و در ولتاژ تغذیه 0.5 v و 0.3 v شبیه سازی شد. زمان تاخیر مقایسه گر پیشنهادی اصلاح شده 16.4 ns، توان مصرفی 20 nw و pdp=0.33 fj در فرکانس کلاک 5 mhz و ولتاژ ورودی500 µv به دست آمد. این نتایج بهبود نسبی %79 در زمان تاخیر را برای مدار پیشنهادی نشان می دهد. در ولتاژ تغذیه0.3 v و فرکانس کلاک 62.5 khz، زمان تاخیر 980 ns، توان مصرفی 100 pw وpdp=0.098 fj است. در این حالت نیز بهبود نسبی %42 در زمان تاخیر مشاهده می گردد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure

کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...

متن کامل

طراحی، شبیه‌سازی و ساخت سوئیچ خازنی RF MEMSبر روی بستر آلومینا

In this paper, design, analysis and fabrication of a low loss capacitive RF MEMS shunt switch, which made on the coplanar waveguide transmission line and alumina substrate in the frequency band of 40-60 GHz, is presented. The CPW is designed to have 50Ω impedance matching on the alumina substrate. Then the desired switch is designed with appropriate dimensions. Afterward the important par...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های کم نویز با ولتاژ و توان مصرفی بسیارکم

در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند . امروزه اکثر سیستم ها به صورت بیسیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود . یکی از مهمترین بخش های گیرنده تقویت کننده کم نویز است که به عنوان اولین طبقه هر گیرنده محسوب می شود . مهمترین ویژگی lna ع...

15 صفحه اول

طراحی یک تقویت کننده سوئیچ زنی خازنی با بهره دقیق با استفاده از dem

در بسیاری از سیستم های اندازه گیری دقیق به کمک کالیبراسیون خودکار اثرات غیر ایده‏‏ آل بهره و آفست حذف می گردد ولی کاربردهایی نیز وجود دارد که سیگنال مرجع خیلی بزرگتر از سیگنال خروجی حسگر می باشد. در چنین مواردی سیگنال خروجی حسگر توسط تقویت کننده هایی تقویت شده و با سیگنال مرجع قابل مقایسه می گردد. تقویت کننده فوق خارج حلقه کالیبراسیون خودکار قرار می گیرد و هرگونه خطایی در بهره آن مستقیما ایجاد ...

طراحی تقویت کننده توان دوبانده همزمان با سوئیچ فعال در 9/0/2/4 گیگاهرتز در پروسه 0.18μmrf cmos

چکیده: در این مقاله، تقویت­ کننده توان دوبانده با توان خروجی بالا در پروسه استاندارد 0.18μm cmos  برای کدخوان rfid ارائه شده است. تقویت ­کننده توان در دو باند فرکانسی ghz9/0 و ghz4/2 به طور همزمان کار می ­کند. برای رسیدن به قابلیت خط­ سانی و توان خروجی بالا از ترکیب کردن چندین تقویت ­کننده کلاس ab استفاده شده است. تقویت ­کننده توان پیشنهادی شامل چهار بخش پیش تقویت ­کننده، تقویت کننده تـوان اصلی...

متن کامل

طراحی ضرب کننده ولتاژ پایین با توان مصرفی کم

چکیده ضرب کننده های آنالوگ یکی از بلوک های مهم در ساختار سیستم های پردازش سیگنال و همچنین سیستم های مخابراتی می باشند. از مهمترین کاربرد این مدارات می توان به مدولاتورها، چند برابر کننده های فرکانس، شبکه های عصبی، سیستم های اندازه گیری، فیلترهای تطبیقی، حلقه های قفل فاز و… اشاره نمود. تابع خروجی ضرب کننده ایده-آل بصورت ضرب دو سیگنال x و y می باشد. اولین ضرب کننده آنالوگ نیمه هادی توسط گیلبر...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023